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FDMQ8203

更新时间： 2024-01-18 21:50:58

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关脉冲光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
10页	360K
描述
GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers Dual N-Channel and Dual P-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET N-Channel: 100 V, 6 A, 110 mÎ© P-Channel: -80 V, -6 A, 190 mÎ©

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FDMQ8203 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	5 X 4.50 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 12 PIN	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.71
外壳连接：	DRAIN	配置：	2 BANKS, COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.4 A	最大漏源导通电阻：	0.11 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N12
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	4	端子数量：	12
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMQ8203 数据手册

Typical Characteristics (P-Channel) T_J= 25 ^oC unlenss otherwise noted

1000

100

I_D= -2.3 A

C_iss

V_DD= -10 V

V_DD= -8 V

V_DD= -12 V

C_oss

f = 1 MHz

= 0 V

C_rss

0.1

100

-V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Q , GATE CHARGE (nC)

Figure 17. Capacitance vs Drain

to Source Voltage

Figure 16. Gate Charge Characteristics

1 ms

10 ms

THIS AREA IS

LIMITED BY r

100 ms

DS(on)

0.1

SINGLE PULSE

T_J= MAX RATED

1 s

_θJA= 160 ^oC/W

10 s

_A= 25 ^oC

0.01

0.005

0.1

100

300

-V_DS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 18. Forward Bias Safe Operating Area

FDMQ8203 Rev.C1

www.fairchildsemi.com

1...4 5 678 9 10

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