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FDMQ8203 PDF预览

FDMQ8203

更新时间： 2024-01-26 11:10:02
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 360K
描述
GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers Dual N-Channel and Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 100 V, 6 A, 110 mΩ P-Channel: -80 V, -6 A, 190 mΩ

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FDMQ8203 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：5 X 4.50 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 12 PIN针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
外壳连接：DRAIN配置：2 BANKS, COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：3.4 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N12
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：12
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMQ8203 数据手册

 浏览型号FDMQ8203的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDMQ8203的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMQ8203的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMQ8203的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMQ8203的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMQ8203的Datasheet PDF文件第7页 
Typical Characteristics (N-Channel) TJ = 25 °C unless otherwise noted  
12  
5
4
3
2
1
0
VGS = 10 V  
VGS = 8 V  
VGS = 5 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
VGS = 6 V  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
VGS = 7 V  
9
VGS = 6 V  
6
VGS = 5 V  
VGS = 7 V  
3
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
VGS = 8 V  
VGS = 10 V  
0
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 1. On Region Characteristics  
F i g u r e 2 . No rma li zed O n-Re si stan ce  
vs Drain Current and Gate Voltage  
2.0  
400  
ID = 3 A  
GS = 10 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
V
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
ID = 3 A  
300  
200  
100  
0
TJ = 125 o  
C
TJ = 25 o  
C
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
4
5
6
7
8
9
10  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. Normalized On Resistance  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
12  
20  
10  
VGS = 0 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
TJ = 150 o  
C
9
6
3
0
1
VDS = 5 V  
TJ = 150 o  
C
TJ = 25 oC  
0.1  
TJ = 25 o  
C
TJ = -55 o  
C
0.01  
0.001  
TJ = -55 o  
C
2
3
4
5
6
7
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMQ8203 Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
4
1234567...10

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