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FDMJ1023PZ

更新时间： 2024-01-07 04:12:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 252K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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FDMJ1023PZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.5
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A最大漏极电流 (ID)：0.0029 A
最大漏源导通电阻：0.112 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：70 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMJ1023PZ 数据手册

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August 2007  
FDMJ1023PZ  
tm  
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET  
–20V, –2.9A, 112mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 112mΩ at VGS = –4.5V, ID = –2.9A  
„ Max rDS(on) = 160mΩ at VGS = –2.5V, ID = –2.4A  
„ Max rDS(on) = 210mΩ at VGS = –1.8V, ID = –2.1A  
„ Max rDS(on) = 300mΩ at VGS = –1.5V, ID = –1.0A  
„ Low gate charge, high power and current handling capability  
„ HBM ESD protection level > 1.5kV typical (Note 3)  
„ RoHS Compliant  
This dual P-Channel MOSFET uses Fairchild’s advanced low  
voltage PowerTrench® process. This device is designed  
specifically as a single package solution for the battery charge  
switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It  
features two independent P-Channel MOSFETs with low  
on-state resistance for minimum conduction losses. When  
connected in the typical common source configuration,  
bi-directional current flow is possible. The SC-75 MicroFET  
package offers exceptional thermal performance for its physical  
size and is well suited to linear mode applications.  
Applications  
„ Battery management/charger application  
S2  
G2  
S1  
Pin 1  
Bottom Drain Contact  
Q2  
G2  
S2  
S1  
S2  
S1  
G1  
4
5
6
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
S2  
SC-75 MicroFET  
S1  
G1  
Bottom Drain Contact  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
–20  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
V
V
±8  
(Note 1a)  
–2.9  
–12  
ID  
A
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.4  
PD  
W
Power Dissipation  
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
89  
°C/W  
182  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
8mm  
Quantity  
023  
FDMJ1023PZ  
SC-75 MicroFET  
7’’  
3000 units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMJ1023PZ Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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