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FDMJ1023PZ

更新时间： 2024-01-24 21:52:03

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
7页	252K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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FDMJ1023PZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.5
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.9 A	最大漏极电流 (ID)：	0.0029 A
最大漏源导通电阻：	0.112 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	70 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

Dimensional Outline and Pad Layout

www.fairchildsemi.com

FDMJ1023PZ Rev.B

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMJ1028N	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格
FDML7610S	FAIRCHILD	Dual N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET N-Channel	获取价格
FDML7610S	ONSEMI	30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级	获取价格
FDMM01SFR	XPPOWER	IEC Power Inlet with Line Filter	获取价格
FDMM03SFR	XPPOWER	IEC Power Inlet with Line Filter	获取价格
FDMM06SFR	XPPOWER	IEC Power Inlet with Line Filter	获取价格