FDML7610S

更新时间： 2024-02-11 03:33:37

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	476K
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Dual N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 mÎ© N-Channel: 30 V, 28 A, 4.2 mÎ©

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FDML7610S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDML7610S 数据手册

April 2010

FDML7610S

Dual N-Channel PowerTrench^®MOSFET

N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 mΩ N-Channel: 30 V, 28 A, 4.2 mΩ

Features

General Description

Q1: N-Channel

This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a

dual MLP package.The switch node has been internally

connected to enable easy placement and routing of synchronous

buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous

SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power

efficiency.

Max r_DS(on)= 7.5 mΩ at V_GS= 10 V, I_D= 12 A

Max r_DS(on)= 12 mΩ at V_GS= 4.5 V, I_D= 10 A

Q2: N-Channel

Max r_DS(on)= 4.2 mΩ at V_GS= 10 V, I_D= 17 A

Max r_DS(on)= 5.5 mΩ at V_GS= 4.5 V, I_D= 14 A

Applications

RoHS Compliant

Computing

Communications

General Purpose Point of Load

Notebook V_CORE

Pin 1

S1/D2

Top

Bottom

MLP 3X4.5

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25 °C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

(Note 3)

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

±20

Drain Current

-Continuous (Package limited)

-Continuous (Silicon limited)

-Continuous

12^1a

17^1b

I_D

-Pulsed

Power Dissipation for Single Operation

T_A= 25 °C

2.1^1a

0.8^1c

2.2^1b

0.9^1d

P_D

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJA

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

60^1a

150^1c

56^1b

140^1d

3.5

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

13 ”

Tape Width

Quantity

FDML7610S

MLP3X4.5

12 mm

3000 units

FDML7610S Rev.C

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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