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FDMQ8203 PDF预览

FDMQ8203

更新时间： 2024-01-22 07:32:54
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 360K
描述
GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers Dual N-Channel and Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: 100 V, 6 A, 110 mΩ P-Channel: -80 V, -6 A, 190 mΩ

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FDMQ8203 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：5 X 4.50 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 12 PIN针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
外壳连接：DRAIN配置：2 BANKS, COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：3.4 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-N12
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：12
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：37 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMQ8203 数据手册

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December 2011  
FDMQ8203  
GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers  
Dual N-Channel and Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET  
N-Channel: 100 V, 6 A, 110 mΩ P-Channel: -80 V, -6 A, 190 mΩ  
Features  
General Description  
Q1/Q4: N-Channel  
This quad mosfet solution provides ten-fold improvement in  
power dissipation over diode bridge.  
„ Max rDS(on) = 110 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3 A  
„ Max rDS(on) = 175 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.4 A  
Q2/Q3: P-Channel  
„ Max rDS(on) = 190 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2.3 A  
„ Max rDS(on) = 235 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.1 A  
Application  
„ High-Efficiency Bridge Rectifiers  
„ Substantial efficiency benefit in PD solutions  
„ RoHS Compliant  
Top  
Bottom  
S3  
S3  
G3  
S4  
S2  
S2  
G2  
S1  
S1  
7
8
6
5
4
3
2
Q3 (Pch)  
Q4 (Nch)  
Q2 (Pch)  
Q1 (Nch)  
Pin 1  
G4  
S4  
S4  
G3  
S3  
G1  
S1  
S1  
G2  
S2  
S2  
D1/  
D2  
D3/  
D4  
9
10  
D3/ D1/  
D4 D2  
S4 11  
G4 12  
S3  
G1  
1
D3,D4 to backside  
(isolated from D1,D2)  
D1,D2 to backside  
MLP 4.5x5  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1/Q4  
100  
±20  
6
Q2/Q3  
-80  
±20  
-6  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
Drain Current  
-Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
T
10  
-10  
-2.6  
-10  
37  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
3.4  
12  
22  
-Pulsed  
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Dual Operation  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
W
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
50  
°C/W  
160  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ”  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMQ8203  
FDMQ8203  
MLP4.5x5  
3000 units  
1
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMQ8203 Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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