FDML7610S

更新时间： 2024-01-23 21:56:24

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	476K
描述
Dual N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 mÎ© N-Channel: 30 V, 28 A, 4.2 mÎ©

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FDML7610S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDML7610S 数据手册

Typical Characteristics (Q2 SyncFET) T_J= 25 ^oC unlenss otherwise noted

PULSE DURATION = 80 µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

V_GS= 10 V

V_GS= 4.5 V

V_GS= 3 V

V_GS= 4 V

V_GS= 3.5 V

PULSE DURATION = 80 µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

V_GS= 3 V

0.2

V_GS= 4 V

V_GS= 10 V

30 40

V_GS= 4.5 V

0.0

0.4

0.6

0.8

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

I_D, DRAIN CURRENT (A)

Figure 13. On-Region Characteristics

Figure 14. Normalized on-Resistance vs Drain

Current and Gate Voltage

1.6

I_D= 17 A

_GS= 10 V

PULSE DURATION = 80 µs

I_D= 17 A

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

T_J= 125 ^oC

T_J= 25 ^o

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 16. On-Resistance vs Gate to

Source Voltage

Figure 15. Normalized On-Resistance

vs Junction Temperature

V_GS= 0 V

PULSE DURATION = 80 µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

V_DS= 5 V

T_J= 125 ^o

T_J= 25 ^oC

T_J= 25 ^o

0.1

0.01

T_J= -55 ^o

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

V_SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 17. Transfer Characteristics

Figure 18. Source to Drain Diode

Forward Voltage vs Source Current

FDML7610S Rev.C

www.fairchildsemi.com

1...4 5 678 9 10...12

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