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FDD107AN06LA0

更新时间： 2024-02-23 16:40:06
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 220K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 10A, 107m

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FDD107AN06LA0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252AA, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
雪崩能效等级（Eas）：9 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 A最大漏极电流 (ID)：3.4 A
最大漏源导通电阻：0.091 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD107AN06LA0 数据手册

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January 2004  
FDD107AN06LA0  
N-Channel PowerTrench MOSFET  
®
60V, 10A, 107mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 92mΩ (Typ.), VGS = 5V, ID = 10A  
Qg(tot) = 4.2nC (Typ.), VGS = 5V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Injection Systems  
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 83524  
DRAIN (FLANGE)  
D
GATE  
SOURCE  
G
TO-252AA  
FDD SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 5V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 5V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 5V, RθJA = 52oC/W)  
Pulsed  
10.9  
A
10  
7.1  
A
A
ID  
3.4  
A
Figure 4  
9
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
25  
W
PD  
0.17  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252  
6.0  
100  
52  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in2 copper pad area  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD107AN06LA0 Rev. A1  
1234567...11

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FDD107AN06LA0 替代型号

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