5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | TO-252AA, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.21 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 166993 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | FDD10AN06A0-2 | Samacsys Released Date： | 2015-07-12 18:27:54 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 429 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD10AN06A0_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5m |
|
| FDD10AN06A0_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD10AN06A0-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，50A，10.5mΩ |
|
| FDD10N20LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD10N20LZTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD10N20LZTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，UniFETTM，200 V，7.6 A，360 |
|
| FDD1106M | BEL |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 2W, MINIATURE, SMT-6 |
|
| FDD1106S | TOKO |
获取价格 |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 2W, Hybrid |
|
| FDD1-1105 | ETC |
获取价格 |
Insulated Crimp Terminals Metric |
|
| FDD1-1108 | ETC |
获取价格 |
Insulated Crimp Terminals Metric |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
