是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 1.44 | Samacsys Description: | Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 79 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.016 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 310 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDB2532-SB82254 | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FDB2552 | TYSEMI |
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rDS(ON) = 32m (Typ.), VGS = 10V, ID = 16A UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Puls | |
FDB2552 | KEXIN |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDB2552 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 37A, 36mз | |
FDB2552 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,37A,36mΩ | |
FDB2552_F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36m | |
FDB2552_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDB2552F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36m | |
FDB2552-F085 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36m | |
FDB2552-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V,37A,36mΩ |