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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FCX458TA
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FCX458TA

更新时间： 2024-09-16 12:04:27
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美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关高压局域网
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2页 25K
描述
SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FCX458TA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.02Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.225 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

FCX458TA 数据手册

 浏览型号FCX458TA的Datasheet PDF文件第2页 
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FCX458  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
FEATURES  
C
*
*
400 Volt VCEO  
Ptot= 1 Watt  
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FCX558  
N58  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e  
400  
Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e  
Em itte r-Ba s e Vo lta g e  
400  
V
5
V
Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t  
Pe ak Pu ls e Cu rren t  
225  
mA  
mA  
W
ICM  
500  
1
Po w e r Dis s ip a tio n a t Ta m b=25°C  
Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e  
Pto t  
Tj:Ts tg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN.  
V(BR)CBO 400  
VCEO(s u s ) 400  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS .  
Bre akd o w n Vo ltag es  
V
V
IC=100µA  
IC=10m A*  
V(BR)EBO  
5
V
IE=100µA  
Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n ts  
Em itte r Cu t-Off Cu rren t  
ICBO  
ICES  
100  
100  
n A  
n A  
VCB=320V  
VCE=320V  
IEBO  
100  
n A  
VEB=4V  
Em itte r S a tu ra tio n Vo lta g e s VCE(s a t)  
0.2  
0.5  
V
V
IC=20m A, IB=2m A*  
IC=50m A, IB=6m A*  
VBE(s a t)  
VBE(o n )  
0.9  
0.9  
V
V
IC=50m A, IB=5m A*  
IC=50m A, VCE=10V*  
Bas e -Em itte r  
Tu rn On Vo lta g e  
S ta tic Fo rw a rd Cu rren t  
Tra n s fe r Ra tio  
hFE  
100  
100  
15  
IC=1m A, VCE=10V  
IC=50m A, VCE=10V*  
IC=100m A, VCE=10V**  
300  
Tra n s itio n Fre q u e n cy  
fT  
50  
MHz  
p F  
IC=10m A, VCE=20V  
f=20MHz  
Co lle cto r-Ba s e  
Co b o  
5
VCB=20V, f=1MHz  
Bre akd o w n Vo ltag e  
S w itch in g tim e s  
to n  
to ff  
135 Typ ica l  
2260 Typ ical  
n s  
n s  
IC=50m A, VC=100V  
IB1=5m A, IB2=-10m A  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice param eter data is available upon request for this device  
For typical characteristics graphs see FMMT458 datasheet  
3 - 85  
12

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