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FCX491A

更新时间： 2024-11-24 22:12:43
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管局域网
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1页 20K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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FCX491A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.23外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：10 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

FCX491A 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FCX491A  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FEATURES  
C
*
1 Am p continuous current  
COMPLEMENTARY TYPE-  
PARTMARKING DETAILS -  
FCX591A  
N2  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Co llecto r-Ba s e Vo lta g e  
40  
Co llecto r-Em itte r Vo lta g e  
Em itte r-Ba s e Vo lta g e  
40  
V
5
V
Pe a k Pu ls e Cu rre n t  
1
A
Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rren t  
Po w er Dis s ip atio n  
ICM  
2
1
A
PTOT  
Tj:Ts tg  
W
°C  
Op era tin g an d S to ra g e Tem p era tu re Ra n g e  
-65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C ).  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL MIN.  
MAX. UNIT CONDITIONS .  
Bre a kd o w n Vo lta g e s  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO,  
40  
40  
5
V
IC=100µA  
IC=10m A*  
IE=100µA  
VCB=30V,  
VCE=30V  
VEB=4V  
V
V
Co llecto r Cu t-Off Cu rren ts  
100  
100  
100  
n A  
n A  
n A  
ICES  
Em itte r Cu t-Off Cu rre n t  
IEBO  
Em itte r S atu ra tio n Vo lta g es  
VCE(s a t)  
0.3  
0.5  
V
V
IC=500m A, IB=50m A*  
IC=1A, IB=100m A*  
VBE(s a t)  
VBE(o n )  
1.1  
1.0  
V
V
IC=1A, IB=100m A*  
IC=1A, VCE=5V*  
Ba s e-Em itter  
Tu rn -On Vo lta g e  
S tatic Fo rw ard Cu rre n t  
Tran s fer  
h FE  
300  
300  
200  
35  
IC=1m A, VCE=5V  
IC=500m A, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
IC=2A, VCE=5V*  
900  
Tran s itio n a l Fre q u en cy  
fT  
150  
MHz IC=50m A, VCE=10V  
f=100MHz  
Co llecto r-Ba s e Bre a kd o w n  
Vo lta g e  
Co b o  
10  
p F  
VCB=10V f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice param eter data is available upon request for this device  
For typical Characteristics graphs see FMMT491A datasheet  
3 - 87  
1

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