FCX1047A

更新时间： 2024-09-15 10:31:59

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美台 - DIODES		晶体开关小信号双极晶体管
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3页	55K
描述
SOT89 NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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FCX1047A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
最大关闭时间（toff）：	230 ns	最大开启时间（吨）：	130 ns
Base Number Matches：	1

FCX1047A 数据手册

SOT89 NPN SILICON POWER

FCX1047A

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSSUE 2 - DECEMBER 1998

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

20A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics up to 20 Amps

Extremely Low Saturation Voltage E.g. 25mv Typ.

Extremely Low Equivalent On-resistance;

R_CE(sat)40mΩ at 4A

Complimentary Type -

Partmarking Detail -

FCX1147A

047

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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