FCX1053ATC

更新时间： 2024-11-06 13:00:03

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捷特科 - ZETEX		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	86K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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FCX1053ATC 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	75 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

FCX1053ATC 数据手册

SOT89 NPN SILICON POWER

FCX1053A

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSUE 1 - MARCH 1999

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

10A Peak Pulse Current

Excellent HFE Characteristics up to 10 Amps

Extremely Low Saturation Voltage E.g. 21mv Typ.

Extremely Low Equivalent On-resistance;

R_CE(sat)78m at 4.5A

Partmarking Detail -

053

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

150

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current **

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices.

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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