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FCX1147A

更新时间： 2024-11-05 22:31:47

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捷特科 - ZETEX		晶体开关晶体管
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3页	78K
描述
PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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FCX1147A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-89, 3 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.55
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	115 MHz	Base Number Matches：	1

FCX1147A 数据手册

SOT89 PNP SILICON POWER

FCX1147A

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSSUE 1 - DECEMBER 1998

FEATURES

2W POWER DISSIPATION

20A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics up to 20 Amps

Extremely Low Saturation Voltage E.g. 25mv Typ.

Extremely Low Equivalent On-resistance;

R_CE(sat)53mΩ at 3A

Complimentary Type -

Partmarking Detail -

FCX1047A

147

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-15

-12

-5

Peak Pulse Current **

-20

-3

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

-500

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

1 †

2 ‡

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

‡

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

substrate measuring 40x40x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by

other suppliers.

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice parameter data is available upon request for these devices.

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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