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| 京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 731K |  |
| 描述 | ||
| Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between s | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FCH10AU10 | NIEC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220, |
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| FCH10E10 | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| FCH10U06 | NIEC |
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10A Avg. 60Volts |
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| FCH10U10 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH10U15 | NIEC |
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Schottky Barrier Diode |
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| FCH10U20 | NIEC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| FCH110N65F-F155 | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650 V，35 A |
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| FCH125N60E | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，Easy Drive，600 V， |
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| FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V |
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| FCH130N60 | ONSEMI |
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N 沟道 SuperFET® II MOSFET |
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压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
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