生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.76 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大非重复峰值正向电流: | 120 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 10 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 60 V |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FCH10U10 | NIEC | Schottky Barrier Diode |
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FCH10U15 | NIEC | Schottky Barrier Diode |
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FCH10U20 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, |
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FCH110N65F-F155 | ONSEMI | 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,35 A |
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FCH125N60E | ONSEMI | 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,Easy Drive,600 V, |
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FCH125N65S3R0-F155 | ONSEMI | 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,650 V |
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