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FC694301

更新时间： 2024-11-05 10:31:27
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
5页 580K
描述
Silicon N-channel MOS FET

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FC694301 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.74
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.125 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FC694301 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
FC694301  
Silicon N-channel MOS FET  
For switching circuits  
Overview  
Package  
FC694301 is dual N-channel small signal MOS FET employed small size  
surface mounting package.  
ꢀCode  
SSMini6-F3-B  
ꢀPin Name  
1: Source (FET1)  
2: Gate (FET1)  
3: Drain (FET2)  
Features  
High-speed switching  
4: Source (FET2)  
5: Gate (FET2)  
6: Drain (FET1)  
Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 3 W (VGS = 2.5 V)  
Small size surface mounting package: SSMini6-F3-B  
Eco-friendly Halogen-free package  
Marking Symbol: V4  
Packaging  
Internal Connection  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)  
(D1) (G2)  
(S2)  
4
6
5
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
FET1  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
30  
Unit  
V
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
FET2  
V
±12  
FET1  
FET2  
1
2
3
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
(S1)  
(G1) (D2)  
Peak drain current  
IDP  
200  
Total power dissipation  
PT  
125  
Overall Channel temperature  
Storage temperature  
T
ch  
150  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Publication date: January 2011  
Ver. CED  
1
12345

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