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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FC694601
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FC694601

更新时间： 2024-09-16 10:31:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 547K
描述
Silicon N-channel MOS FET

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FC694601 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.125 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FC694601 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
FC694601  
Silicon N-channel MOS FET  
For switching circuits  
Overview  
Package  
FC694601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size  
surface mounting package.  
ꢀCode  
SSMini6-F3-B  
ꢀPin Name  
1: Source (FET1)  
2: Gate (FET1)  
3: Drain (FET2)  
Features  
4: Source (FET2)  
5: Gate (FET2)  
6: Drain (FET1)  
Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0 V)  
High-speed switching  
Small size surface mounting package: SSMini6-F3-B  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
Marking Symbol: V6  
Internal Connection  
Packaging  
(D1) (G2)  
(S2)  
4
6
5
Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)  
FET1  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
60  
Unit  
V
FET2  
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
1
2
3
(S1)  
(G1) (D2)  
V
±12  
FET1  
FET2  
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak drain current  
IDP  
200  
Total power dissipation  
PT  
125  
Overall Channel temperature  
Storage temperature  
T
ch  
150  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Publication date: February 2011  
Ver. AED  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FC6946010R PANASONIC

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 		Dual N-channel MOS FET For switching
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