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FAN6550M

更新时间： 2024-01-08 21:59:16
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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12页 102K
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FAN6550M 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N差分输出：NO
接口集成电路类型：BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUITJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3/e4长度：9.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：1.75 mm
最大供电电压：4 V最小供电电压：1.4 V
标称供电电压：3.3 V电源电压1-最大：4 V
电源电压1-分钟：2 V电源电压1-Nom：3.3 V
表面贴装：YES温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

FAN6550M 数据手册

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www.fairchildsemi.com  
FAN6550  
2A DDR Bus Termination Regulator  
Features  
Description  
• Can source and sink up to 2A continous, 3A peak  
• No heatsink required  
• Integrated Power MOSFETs  
• Generates termination voltages for DDR SDRAM  
• VREF input available for external voltage divider  
• Separate voltages for VCCQ and PVDD  
• Buffered VREF output  
• VOUT of 3ꢀ or less at 2A  
• Minimum external components  
• 0°C to 70°C operating range  
• Shutdown for standby or suspend mode operation  
• Thermal Shutdown ≈ 130ºC  
The FAN6550 switching regulator is designed to convert  
voltage supplies ranging from 2.3V to 4V into a desired out-  
put voltage or termination voltage for DDR SDRAM mem-  
ory. The FAN6550 can be implemented to produce regulated  
output voltages in two different modes. In the default mode,  
when the VREF pin is open, the FAN6550 output voltage is  
50ꢀ of the voltage applied to VCCQ. The FAN6550 can also  
be used to produce various user-defined voltages by forcing a  
voltage on the VREFIN pin. In this case, the output voltage  
follows the input VREFIN voltage. The switching regulator  
is capable of sourcing or sinking up to 2A of current while  
regulating an output VTT voltage to within 3ꢀ or less.  
Transient output currents of 3A can also be accommodated.  
The FAN6550 can also be used in conjunction with series  
termination resisitors to provide an excellent voltage source  
for active termination schemes of high speed transmission  
lines as those seen in high speed memory buses and distrib-  
uted backplane designs.  
Block Diagram  
9
15  
16  
14  
1
12  
2
7
V
AV  
VREF  
V
SHDN  
PV  
PV  
DD2  
V
CCQ  
CC  
OUT  
DD  
DD1  
DD  
V
OUT  
OSCILLATOR/  
RAMP  
L1  
(V  
)
3
6
GENERATOR  
–
200kΩ  
Q
Q
S
R
+
V
OUT  
L2  
V
BUFFER  
REF  
(V  
)
–
+
VREF  
IN  
ERROR AMP  
11  
13  
RAMP  
COMPARATOR  
+
200kΩ  
AGND  
–
V
D
P
P
GND2  
FB  
GND  
GND1  
10  
8
4
5
REV. 1.0.2 3/11/02  
1234567...12

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