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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FAN6754AMRMY
FAN6754AMRMY PDF预览

FAN6754AMRMY

更新时间： 2023-06-19 14:33:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 控制器信息通信管理开关光电二极管小信号双极晶体管转换器
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
用于反激转换器的绿色模式 PWM 控制器，65KHz

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FAN6754AMRMY 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOP,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.72
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING CONTROLLER控制模式：CURRENT-MODE
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：24 V
标称输入电压：15 VJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
表面贴装：YES切换器配置：SINGLE
最大切换频率：69 kHz温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm

FAN6754AMRMY 数据手册

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January 2005  
BC517  
NPN Darlington Transistor  
•
•
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A.  
Sourced from process 05.  
TO-92  
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
10  
V
I
- Continuous  
1.2  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2.0mA, I = 0  
30  
40  
10  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 10µA, I = 0  
E
= 100nA, I = 0  
V
C
I
V
= 30V, I = 0  
100  
nA  
CB  
E
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
= 2.0V, I = 20mA  
30,000  
FE  
CE  
C
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 100mA, I = 0.1mA  
1
V
V
CE(sat)  
BE(on)  
C
C
B
= 10mA, V = 5.0V  
1.4  
CE  
Thermal Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BC517 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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