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F3L50R06W1E3-B11

更新时间： 2024-11-20 19:56:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1067K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20

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F3L50R06W1E3-B11 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X14	元件数量：	4
端子数量：	14	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	175 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	295 ns	标称接通时间 (ton)：	42 ns
VCEsat-Max：	1.9 V	Base Number Matches：	1

F3L50R06W1E3-B11 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

F3L50R06W1E3_B11

EasyPACKꢀ模块ꢀ采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管ꢀ带有pressfit压接管脚和温度检测NTC

EasyPACKꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

V_CES= 600V

I_{C nom}= 50A / I_CRM= 100A

典型应用

TypicalꢀApplications

• 3-Level-Applications

• SolarꢀApplications

• UPSꢀSystems

• 三电平应用

• 太阳能应用

• UPS系统

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• Lowꢀinductiveꢀdesign

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• LowꢀV_CEsat

• 低电感设计

• 低开关损耗

• 低ꢀꢀV_CEsat

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 低热阻的三氧化二铝（ꢀAl₂O₃ꢀ衬底

• 紧凑型设计

• Al₂O₃ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance

• Compactꢀdesign

• PressFITꢀ压接技术

• 集成的安装夹使安装坚固

• PressFITꢀContactꢀTechnology

• Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀCM

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-03-13

revision:ꢀ3.1

approvedꢀby:ꢀAKDA

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

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