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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 | 针数： | 27 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 95 A | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 370 ns | 标称接通时间 (ton)： | 49 ns |
| VCEsat-Max： | 1.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F3L75R07W2E3B11BOMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| F3L75R12W1H3_B11 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| F3L75R12W1H3_B27 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-21 |
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| F3L75R12W1H3B27BOMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-21 |
|
| F3L8MR12W2M1HP_B11 | INFINEON |
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TIM,PressFIT |
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| F3M-10 | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max, PACKAGE |
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| F3M1-10 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max, |
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| F3M-20 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 12400MHz Max, PACKAGE |
|
| F3M3 | EDAL |
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Silicon Power Rectifiers |
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