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F3L75R12W1H3_B11

更新时间: 2024-11-20 21:21:47
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1076K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

F3L75R12W1H3_B11 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66其他特性:UL APPROVED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):45 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
JESD-30 代码:R-XUFM-X21元件数量:4
端子数量:21封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):385 ns标称接通时间 (ton):42 ns
Base Number Matches:1

F3L75R12W1H3_B11 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
F3L75R12W1H3_B11  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
J
VCES = 1200V  
IC nom = 75A / ICRM = 150A  
TypischeꢀAnwendungen  
• 3-Level-Applikationen  
• SolarꢀAnwendungen  
TypicalꢀApplications  
• 3-Level-Applications  
• SolarꢀApplications  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• NiederinduktivesꢀDesign  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• NiedrigesꢀVCEsat  
ElectricalꢀFeatures  
• LowꢀInductiveꢀDesign  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• LowꢀVCEsat  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen  
• Al2O3ꢀSubstrateꢀwithꢀLowꢀThermalꢀResistance  
Widerstand  
• KompaktesꢀDesign  
• Compactꢀdesign  
• PressFITꢀVerbindungstechnik  
• PressFITꢀContactꢀTechnology  
Robuste Montage durch integrierte  
Rugged mounting due to integrated mounting  
Befestigungsklammern  
clamps  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀCM  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-08-26  
revision:ꢀV2.0  
approvedꢀby:ꢀAKDA  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1

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