Datasheet > F3L30R06W1E3B11BOMA1

F3L30R06W1E3B11BOMA1

更新时间： 2024-11-20 20:01:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
10页	570K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

F3L30R06W1E3B11BOMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

F3L30R06W1E3B11BOMA1 数据手册

浏览型号F3L30R06W1E3B11BOMA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号F3L30R06W1E3B11BOMA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号F3L30R06W1E3B11BOMA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号F3L30R06W1E3B11BOMA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号F3L30R06W1E3B11BOMA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号F3L30R06W1E3B11BOMA1的Datasheet PDF文件第7页

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

F3L30R06W1E3_B11

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

V†Š» = 600V

I† ÒÓÑ = 30A / I†ç¢ = 60A

Typische Anwendungen

Typical Applications

3-Level-Applikationen

Solar Anwendungen

USV-Systeme

3-Level-Applications

Solar Applications

UPS Systems

•

Elektrische Eigenschaften

Electrical Features

Niederinduktives Design

Niedrige Schaltverluste

Niedriges V†ŠÙÈÚ

Low inductive design

Low Switching Losses

Low V†ŠÙÈÚ

•

Mechanische Eigenschaften

Mechanical Features

AlèOé Substrat mit kleinem thermischen

Widerstand

AlèOé Substrate with Low Thermal Resistance

•

Kompaktes Design

Compact design

•

PressFIT Verbindungstechnik

PressFIT Contact Technology

Robuste Montage durch integrierte

Befestigungsklammern

Rugged mounting due to integrated mounting

clamps

Module Label Code

Barcode Code 128

Content of the Code

Digit

Module Serial Number

1 - 5

Module Material Number

Production Order Number

Datecode (Production Year)

Datecode (Production Week)

6 - 11

12 - 19

20 - 21

22 - 23

DMX - Code

prepared by: CM

approved by: MB

date of publication: 2011-07-22

revision: 3.1

material no: 34072

UL approved (E83335)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与F3L30R06W1E3B11BOMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
F3L400R07ME4_B22	INFINEON	获取价格	Phase leg
F3L400R07ME4_B23	INFINEON	获取价格	Phase leg
F3L400R07W3S5_B59	INFINEON	获取价格	PressFIT
F3L400R10W3S7_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
F3L400R10W3S7F_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
F3L400R12PT4_B26	INFINEON	获取价格	Phase leg
F3L400R12PT4B26BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES
F3L400R12PT4P_B26	INFINEON	获取价格	Phase leg
F3L50R06W1E3_B11	INFINEON	获取价格	EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT /
F3L50R06W1E3-B11	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-20