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ESDB24C

更新时间: 2024-11-19 01:17:03
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德欧泰克 - DIOTEC /
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2页 192K
描述
ESD Protection Diodes in SMD

ESDB24C 数据手册

 浏览型号ESDB24C的Datasheet PDF文件第2页 
ESDB3V3C ... ESDB24C  
ESDB3V3C ... ESDB24C  
PPPM = 200 ... 350 W VWM = 3.3V...24 V  
Tjmax = 150°C VBRmin = 5.8V...25.4 V  
VPP = ± 23 ... 30 kV  
ESD Protection Diodes in SMD  
ESD-Schutzdioden in SMD  
Version 2018-09-04  
Typical Applications  
Typische Anwendungen  
ESD-Schutz  
Schutz von Datenleitungen  
und Ein-/Ausgängen  
ESD protection  
Data line and I/O port  
protection  
Commercial grade  
Standardausführung  
SOT-23  
(TO-236)  
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)  
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)  
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)  
Features  
Bidirectional clamping  
Dual diode  
High peak pulse power  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Besonderheiten  
Bidirektionales Begrenzen  
Doppeldiode  
Hohe Impulsfestigkeit  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
+0.1  
-0.2  
2.9±0.1  
1.1  
0.4+-00..015  
3
R
Type  
Code  
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
1
2
1.9±0.1  
Taped and reeled  
3000 / 7“  
0.01 g  
Gegurtet auf Rolle  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
Gehäusematerial  
Dimensions - Maße [mm]  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
3
Type Code:  
Bidirectional  
Bidirektional  
See table next page  
Siehe Tabelle  
1
2
nächste Seite  
1 = A11 2 = A22 3 = A12/A21  
Maximum ratings 2)  
Grenzwerte 2)  
3
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)  
)
ESDB3V3C...5V0C  
ESDB12C ... 24C/-Q  
350 W  
200 W  
PPPM  
IPPM  
VPP  
3
)
Peak pulse power current (8/20 µs waveform)  
Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)  
ESDB3V3C  
ESDB5V0C  
ESDB12C ... 15C  
ESDB24C/-Q  
15 A  
13 A  
5 A  
3 A  
ESD immunity (contact discharge)  
ESD-Festigkeit (Kontaktentladung)  
IEC 61000-4-2  
ESDB3V3C...15C  
ESDB24C/-Q  
± 30 kV  
± 23 kV  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-55...+150°C  
-55...+150°C  
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified  
TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben  
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 

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