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ESDB5.0ECM9

更新时间: 2024-11-22 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE ESD二极管
页数 文件大小 规格书
2页 864K
描述
ESD二极管

ESDB5.0ECM9 技术参数

Case Style:SOD-923Pd(mW):150
VRWM(V):5.0VBR(V):7.8
IT(mA):1VC(V):7.0
IPP(A):7Cj(pF):13
class:Diodes

ESDB5.0ECM9 数据手册

 浏览型号ESDB5.0ECM9的Datasheet PDF文件第2页 
ESDB5.0ECM9  
Transient Voltage Suppressors  
Bi-Directional Transient Voltage Suppressor  
Low capacitance and Low Leakage  
ESD Protection, IEC61000-4-2 Level 4  
SOD923F Thin SMD  
RoHS compliant  
UL-94 V-0 / Green EMC  
Matte Tin Lead finish (Pb-Free)  
Device marking: EA  
Device Marking Code  
E1  
ESDB5.0ECM9  
EA  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ℃)  
Symbol  
IPP *1  
Parameter  
Value  
7.0  
Units  
A
Maximum Reverse Peak Pulse Current  
ESD Voltage IEC61000-4-2 Air  
ESD Voltage IEC61000-4-2 Contact  
Junction Temperature  
VESD-Air  
VESD-contact  
TJ  
±15  
kV  
±8  
kV  
150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
150  
PD  
Power Dissipation  
mW  
tP =8/20μs  
*1  
Electrical Characteristics Ta = 25 ℃)  
Symbol  
VRWM  
Parameter  
Conditions  
-
Min  
6.2  
Typ  
Max  
5.0  
Units  
Reverse Working Peak Voltage  
V
Reverse Breakdown Voltage  
Pin 1 to 2  
IT = 1mA  
VBR  
7.8  
V
VRWM = ±5V  
IR  
Reverse Current  
Clamping Voltage  
Diode Capacitance  
1.0  
9.0  
μA  
V
I
PP = 7A, tP =8/20μs  
VC  
CD  
VR = 0V, f = 1MHz  
13  
pF  
http://www.lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
mail:lge@lgesemi.com  

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