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ESDB5.0BM9

更新时间： 2024-11-19 14:50:23

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鲁光 - LGE		ESD二极管
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2页	922K
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ESD二极管

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ESDB5.0BM9 技术参数

Case Style：	SOD-923	Pd(mW)：	150
VRWM(V)：	5.0	VBR(V)：	8.2
IT(mA)：	1	VC(V)：	8.0
IPP(A)：	1	Cj(pF)：	13
class：	Diodes

ESDB5.0BM9 数据手册

ESDB5.0BM9

Transient Voltage Suppressors

◇ Bi-Directional Transient Voltage Suppressor

◇ Low capacitance and Low Leakage

◇ ESD Protection, IEC61000-4-2 Level 4

◇ SOD923 Micro SMD package

◇ RoHS compliant

◇ UL-94 V-0 / Green EMC

◇ Matte Tin Lead finish (Pb-Free)

◇ Device marking

Device Marking Code

ESDB5.0BM9

Maximum Ratings （Ta = 25 ℃）

Symbol

P_DK

Parameter

Value

Units

Peak Power Dissipation

I_{PP *1}

V_ESD-Air

V_ESD-contact

T_J

Maximum Reverse Peak Pulse Current

ESD Voltage IEC61000-4-2 Air

ESD Voltage IEC61000-4-2 Contact

Junction Temperature

3.5

±15

±8

℃

150

T_L

Lead Temperature

260

℃

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

150

℃

P_D

Power Dissipation

t_P=8/20μs

Electrical Characteristics （Ta = 25 ℃）

Symbol

V_RWM

Parameter

Conditions

Min

5.3

Typ

Max

5.0

Units

Reverse Working Peak Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Pin 1 to 2

I_T= 1mA

V_BR

I_R

7.5

V_RWM= ±5V

Reverse Current

Clamping Voltage

100

_PP= 1A, t_P=8/20μs

9.0

V_C

C_D

12.5

_PP= 3.5A, t_P=8/20μs

V_R= 0V, f = 1MHz

Diode Capacitance

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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