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ESDB3.3EM9

更新时间： 2024-11-19 14:54:39

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鲁光 - LGE		ESD二极管
页数	文件大小	规格书
2页	888K
描述
ESD二极管

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ESDB3.3EM9 技术参数

Case Style：	SOD-923	Pd(mW)：	150
VRWM(V)：	3.3	VBR(V)：	5.0
IT(mA)：	1	VC(V)：	19
IPP(A)：	-	Cj(pF)：	18
class：	Diodes

ESDB3.3EM9 数据手册

ESDB3.3EM9

Transient Voltage Suppressors

◇ Low Clamping Voltage of Transient Voltage Suppressor

◇ ESD Protection, IEC61000-4-2 Level 4

◇ SOD923 Micro SMD package

◇ RoHS compliant

◇ UL-94 V-0 / Green EMC

◇ Matte Tin Lead finish (Pb-Free)

◇ Device marking

Device Marking Code

ESDB3.3EM9

Absolute Maximum Ratings （Ta = 25 ℃）

Symbol

P_DK

Parameter

Value

Units

Peak Power Dissipation

Maximum Reverse Peak Pulse Current

ESD Voltage IEC61000-4-2 Air

ESD Voltage IEC61000-4-2 Contact

Junction Temperature

I_{PP *1}

2.3

V_ESD-Air

V_ESD-contact

T_J

±15

±8

℃

150

T_L

Lead Temperature

260

℃

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

150

℃

P_D

Power Dissipation

t_P=8/20μs

Electrical Characteristics （Ta = 25 ℃）

Symbol

V_RWM

Parameter

Conditions

Min

5.0

Typ

Max

Units

Reverse Working Peak Voltage

3.3

I_T= 1mA

V_BR

I_R

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Current

μA

V_RWM= 3.3V

2.5

I_PPMAX, t_P=8/20μs

V_R= 0V, f = 1MHz

V_C

C_D

Clamping Voltage

Diode Capacitance

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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