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ESDB3.3EM9

更新时间: 2024-11-02 14:54:39
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE ESD二极管
页数 文件大小 规格书
2页 888K
描述
ESD二极管

ESDB3.3EM9 技术参数

Case Style:SOD-923Pd(mW):150
VRWM(V):3.3VBR(V):5.0
IT(mA):1VC(V):19
IPP(A):-Cj(pF):18
class:Diodes

ESDB3.3EM9 数据手册

 浏览型号ESDB3.3EM9的Datasheet PDF文件第2页 
ESDB3.3EM9  
Transient Voltage Suppressors  
◇ Low Clamping Voltage of Transient Voltage Suppressor  
◇ ESD Protection, IEC61000-4-2 Level 4  
◇ SOD923 Micro SMD package  
◇ RoHS compliant  
◇ UL-94 V-0 / Green EMC  
◇ Matte Tin Lead finish (Pb-Free)  
◇ Device marking  
Device Marking Code  
ESDB3.3EM9  
E4  
E1  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 ℃)  
Symbol  
PDK  
Parameter  
Value  
44  
Units  
W
Peak Power Dissipation  
Maximum Reverse Peak Pulse Current  
ESD Voltage IEC61000-4-2 Air  
ESD Voltage IEC61000-4-2 Contact  
Junction Temperature  
IPP *1  
2.3  
A
VESD-Air  
VESD-contact  
TJ  
±15  
±8  
kV  
kV  
150  
TL  
Lead Temperature  
260  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
150  
PD  
Power Dissipation  
mW  
tP =8/20μs  
*1  
Electrical Characteristics Ta = 25 ℃)  
Symbol  
VRWM  
Parameter  
Conditions  
-
Min  
5.0  
Typ  
Max  
Units  
V
Reverse Working Peak Voltage  
3.3  
IT = 1mA  
VBR  
IR  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Current  
V
μA  
V
VRWM = 3.3V  
2.5  
19  
IPP MAX, tP =8/20μs  
VR = 0V, f = 1MHz  
VC  
CD  
Clamping Voltage  
Diode Capacitance  
18  
pF  
http://www.lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
mail:lge@lgesemi.com  

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