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ESD9L3.3ST5G

更新时间： 2024-02-23 04:53:13

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安森美 - ONSEMI		二极管
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4页	131K
描述
Transient Voltage Suppressors ESD Protection Diodes with Ultra−Low Capacitance

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ESD9L3.3ST5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.54
其他特性：	LOW CAPACITANCE	最小击穿电压：	4.8 V
最大钳位电压：	7.8 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3.3 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

ESD9L3.3ST5G 数据手册

ESD9L3.3ST5G

IEC61000−4−2 Waveform

IEC 61000−4−2 Spec.

peak

Test

Voltage

(kV)

First Peak

Current

(A)

100%

90%

Current at

30 ns (A)

Current at

60 ns (A)

Level

7.5

I @ 30 ns

22.5

I @ 60 ns

10%

= 0.7 ns to 1 ns

Figure 3. IEC61000−4−2 Spec

Oscilloscope

ESD Gun

TVS

50 W

Cable

50 W

Figure 4. Diagram of ESD Test Setup

The following is taken from Application Note

AND8308/D − Interpretation of Datasheet Parameters

for ESD Devices.

systems such as cell phones or laptop computers it is not

clearly defined in the spec how to specify a clamping voltage

at the device level. ON Semiconductor has developed a way

to examine the entire voltage waveform across the ESD

protection diode over the time domain of an ESD pulse in the

form of an oscilloscope screenshot, which can be found on

the datasheets for all ESD protection diodes. For more

information on how ON Semiconductor creates these

screenshots and how to interpret them please refer to

AND8307/D.

ESD Voltage Clamping

For sensitive circuit elements it is important to limit the

voltage that an IC will be exposed to during an ESD event

to as low a voltage as possible. The ESD clamping voltage

is the voltage drop across the ESD protection diode during

an ESD event per the IEC61000−4−2 waveform. Since the

IEC61000−4−2 was written as a pass/fail spec for larger

100

PEAK VALUE I

@ 8 ms

RSM

PULSE WIDTH (t ) IS DEFINED

AS THAT POINT WHERE THE

PEAK CURRENT DECAY = 8 ms

HALF VALUE I /2 @ 20 ms

RSM

t, TIME (ms)

Figure 5. 8 X 20 ms Pulse Waveform

http://onsemi.com

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