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ESD7104

更新时间： 2024-02-24 20:57:32
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安森美 - ONSEMI /
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9页 314K
描述
Transient Voltage Suppressors

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ESD7104 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：UDFN-10针数：10
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.83Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：224665
Samacsys Pin Count：10Samacsys Part Category：TVS Diode (Uni-directional)
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：UDFN10 2.5x1, 0.5P CASE 517BB?01 ISSUE O
Samacsys Released Date：2019-05-02 11:24:52Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA LOW CAPACITANCE最小击穿电压：5.5 V
最大钳位电压：19.5 V配置：COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-N10JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：5
端子数量：10最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压：5 V
最大反向电流：1 µA反向测试电压：5 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ESD7104 数据手册

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ESD7104  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise specified)  
A
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Reverse Working Voltage  
Breakdown Voltage  
V
RWM  
I/O Pin to GND  
I = 1 mA, I/O Pin to GND  
5.0  
V
BR  
5.5  
V
T
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage (Note 1)  
Clamping Voltage (Note 2)  
Clamping Voltage (Note 3)  
I
V
= 5 V, I/O Pin to GND  
1.0  
10  
mA  
V
R
RWM  
V
I
PP  
= 1 A, I/O Pin to GND (8 x 20 ms pulse)  
C
C
C
V
V
IEC61000−4−2, 8 KV Contact  
See Figures 1 and 2  
V
I
PP  
I
PP  
=
=
8 A  
16 A  
14.1  
19.5  
V
Junction Capacitance  
Junction Capacitance  
C
C
V
V
= 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins  
0.2  
0.3  
0.35  
pF  
pF  
J
J
R
= 0 V, f = 1 MHz between I/O Pins and GND  
0.3  
R
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
1. Surge current waveform per Figure 5.  
2. For test procedure see Figures 3 and 4 and application note AND8307/D.  
3. ANSI/ESD STM5.5.1 − 2008 Electrostatic Discharge Sensitivity Testing using Transmission Line Pulse (TLP) Model.  
TLP conditions: Z = 50 W, t = 100 ns, t = 4 ns, averaging window; t = 30 ns to t = 60 ns.  
0
p
r
1
2
80  
70  
10  
0
60  
50  
40  
−10  
−20  
−30  
30  
−40  
20  
10  
−50  
−60  
−70  
−80  
0
−10  
−20  
0
20  
40  
60  
TIME (ns)  
80  
100 120 140  
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100 120 140  
TIME (ns)  
Figure 1. IEC61000−4−2 +8 KV Contact  
Clamping Voltage  
Figure 2. IEC61000−4−2 −8 KV Contact  
Clamping Voltage  
www.onsemi.com  
2
 
1234567...9

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