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ES1DBF3

更新时间： 2024-10-30 19:53:07
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 443K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

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ES1DBF3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMB, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.55其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ES1DBF3 数据手册

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RoHS  
ES1AB THRU ES1KB  
COMPLIANT  
Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier  
Features  
● Low profile package  
● Ideal for automated placement  
● Glass passivated chip junction  
● High forward surge capability  
● Super Fast reverse recovery time  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
Typical Applications  
For use in high frequency rectification of power  
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for  
consumer and telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: DO-214AA (SMB  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Cathode line denotes the cathode end  
Polarity:  
(T =25℃ Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB  
Device marking code  
V
V
A
50  
100  
150  
200  
300  
1.0  
400  
500  
600  
800  
Repetitive peak reverse voltage  
RRM  
Average rectified output current  
@60Hz sine wave, resistance load,  
TL (Fig.1)  
I
O
Surge(non-repetitive)forward current  
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃  
I
A
30  
FSM  
T
℃
℃
-55~+150  
-55~+150  
Storage temperature  
Junction temperature  
stg  
T
j
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
V
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per diode  
V
F
I
=1.0A  
FM  
0.95  
1.3  
1.7  
1.85  
IF=0.5A,IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Maximum reverse recovery time  
t
rr  
ns  
35  
T =25℃  
5.0  
a
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per  
diode @ VRM=VRRM  
I
μA  
RRM  
T =125℃  
a
100  
1 / 5  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
S-S784  
Rev. 2.2,06-Jun-16  
www.21yangjie.com  
12345

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