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ES1B_NL

更新时间： 2024-10-30 20:48:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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ES1B_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.92 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：1.47 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.015 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ES1B_NL 数据手册

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ES1A - ES1D  
Features  
•
For surface mount applications.  
• Glass passivated junction.  
• Low profile package.  
• Easy pick and place.  
• Built-in strain relief.  
SMA/DO-214AC  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
• Superfast recovery times for  
high efficiency.  
Fast Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
Symbol  
Parameter  
Units  
1A  
1B  
1C  
1D  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
50  
100  
150  
200  
V
A
Average Rectified Forward Current, @ TA=120°C  
1.0  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3 ms Single Half-Sine-Wave  
30  
A
Storage Temperature Range  
-50 to +150  
-50 to +150  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
1.47  
85  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
Thermal Resistance, Junction to Lead*  
RθJA  
RθJL  
°C/W  
°C/W  
35  
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Device  
Symbol  
Parameter  
Units  
1A  
1B  
0.92  
1C  
1D  
VF  
trr  
Forward Voltage @ 1.0 A  
Reverse Recovery Time  
V
15  
ns  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A  
IR  
5.0  
100  
µA  
Reverse Current @ rated VR  
TA = 25°C  
T = 100 C  
A
µ
°
A
CT  
Total Capacitance  
7.0  
pF  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
ES1A-ES1D, Rev. C  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES1B-13 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN
ES1B-13-F DIODES

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