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EP3CLS200F780C7N

更新时间： 2024-01-20 20:40:07

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
32页	760K
描述
Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE, FBGA-780

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EP3CLS200F780C7N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LEAD FREE, FBGA-780	针数：	780
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.24
最大时钟频率：	450 MHz	JESD-30 代码：	S-PBGA-B780
JESD-609代码：	e1	长度：	29 mm
湿度敏感等级：	3	可配置逻辑块数量：	198464
输入次数：	413	逻辑单元数量：	198464
输出次数：	413	端子数量：	780
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	198464 CLBS	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA780,28X28,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	1.2,1.2/3.3,2.5 V
可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	子类别：	Field Programmable Gate Arrays
最大供电电压：	1.25 V	最小供电电压：	1.15 V
标称供电电压：	1.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	29 mm
Base Number Matches：	1

EP3CLS200F780C7N 数据手册

Chapter 2: Cyclone III LS Device Datasheet

2–3

Electrical Characteristics

A DC signal is equivalent to 100% of the duty cycle. For example, a signal that

overshoots to 4.2 V can only be at 4.2 V for 10.74% over the lifetime of the device; for a

device lifetime of 10 years, this is equivalent to 10.74% of ten years, which is 12.89

months.

Table 2–2. Cyclone III LS Devices Maximum Allowed Overshoot During Transitions over a 10-Year

Time Frame

Symbol

Parameter

Condition

V_I= 3.95 V

V_I= 4.0 V

Overshoot Duration as % of High Time

Unit

100

95.67

55.24

31.97

18.52

10.74

6.23

V_I= 4.05 V

V_I= 4.10 V

V_I= 4.15 V

V_I= 4.20 V

V_I= 4.25 V

V_I= 4.30 V

V_I= 4.35 V

V_I= 4.40 V

V_I= 4.45 V

V_I= 4.50 V

V_I= 4.60 V

V_I= 4.70 V

AC Input

Voltage

V_i

3.62

2.1

1.22

0.71

0.41

0.14

0.047

Figure 2–1 shows the methodology to determine the overshoot duration. In this

example, overshoot voltage is shown in red and is present on the input pin of the

Cyclone III LS device at over 4.1 V but below 4.2 V. From Table 2–1, for an overshoot

of 4.1 V, the percentage of high time for the overshoot can be as high as 31.97% over a

10-year period. Percentage of high time is calculated as ([delta T]/T) × 100. This

10-year period assumes the device is always turned on with 100% I/O toggle rate and

50% duty cycle signal. For lower I/O toggle rates and situations in which the device is

in an idle state, lifetimes are increased.

Figure 2–1. Cyclone III LS Devices Overshoot Duration

4.2 V

4.1 V

3.3 V

ΔT

July 2012 Altera Corporation

Cyclone III Device Handbook

Volume 2

1 234 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EP3CLS200F780C8	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, 29 X 29 MM
EP3CLS200F780C8	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, 29 X 29 MM
EP3CLS200F780C8N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE,
EP3CLS200F780I7	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, 29 X 29 MM
EP3CLS200F780I7	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, 29 X 29 MM
EP3CLS200F780I7N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE,
EP3CLS200F780I7N	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE,
EP3CLS70	ALTERA	获取价格	Cyclone III Device Handbook
EP3CLS70F484C7N	INTEL	获取价格	Field Programmable Gate Array, 70208 CLBs, 450MHz, 70208-Cell, CMOS, PBGA484, LEAD FREE, F
EP3CLS70F484C8	ALTERA	获取价格	Field Programmable Gate Array, 70208 CLBs, 450MHz, 70208-Cell, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM,

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