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EP3CLS200F780C7N

更新时间： 2024-02-05 18:55:06

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
32页	760K
描述
Field Programmable Gate Array, 198464 CLBs, 450MHz, 198464-Cell, CMOS, PBGA780, LEAD FREE, FBGA-780

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EP3CLS200F780C7N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LEAD FREE, FBGA-780	针数：	780
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.24
最大时钟频率：	450 MHz	JESD-30 代码：	S-PBGA-B780
JESD-609代码：	e1	长度：	29 mm
湿度敏感等级：	3	可配置逻辑块数量：	198464
输入次数：	413	逻辑单元数量：	198464
输出次数：	413	端子数量：	780
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	198464 CLBS	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA780,28X28,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	1.2,1.2/3.3,2.5 V
可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	子类别：	Field Programmable Gate Arrays
最大供电电压：	1.25 V	最小供电电压：	1.15 V
标称供电电压：	1.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	29 mm
Base Number Matches：	1

EP3CLS200F780C7N 数据手册

浏览型号EP3CLS200F780C7N的Datasheet PDF文件第10页

Chapter 2: Cyclone III LS Device Datasheet

2–7

Electrical Characteristics

Table 2–8 lists the percentage change of the OCT resistance with voltage and

temperature.

Table 2–8. Cyclone III LS Devices OCT Variation After Calibration at Device Power-Up ⁽¹⁾

Nominal Voltage

dR/dT (%/°C)

0.262

dR/dV (%/mV)

–0.026

3.0

2.5

1.8

1.5

1.2

0.234

–0.039

0.219

–0.086

0.199

–0.136

0.161

–0.288

Note to Table 2–8:

(1) Use this table to calculate the final OCT resistance with the variation of temperature and voltage.

(1), (2), (3), (4), (5), (6)

Equation 2–1.

(7)

R_V= (V₂– V₁) × 1000 × dR/dV –––––

(8)

R_T= (T₂– T₁) × dR/dT –––––

(9)

For R_x< 0; MF_x= 1/ (|R_x|/100 + 1) –––––

(10)

For R_x> 0; MF_x= R_x/100 + 1 –––––

(11)

MF = MF_V× MF_T–––––

(12)

R_final= R_initial× MF –––––

Notes to Equation 2–1:

(1) T₂is the final temperature.

(2) T₁is the initial temperature.

(3) MF is multiplication factor.

(4) R_finalis final resistance.

(5) R_initialis initial resistance.

(6) Subscript × refers to both _Vand _T.

(7) R_Vis variation of resistance with voltage.

(8) R_Tis variation of resistance with temperature.

(9) dR/dT is the percentage change of resistance with temperature.

(10) dR/dV is the percentage change of resistance with voltage.

(11) V₂is final voltage.

(12) V₁is the initial voltage.

July 2012 Altera Corporation

Cyclone III Device Handbook

Volume 2

1...4 5 678 9 10...32

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