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EM564161BC-70E

更新时间： 2024-02-13 19:43:49

品牌	Logo	应用领域
钰创 - ETRON		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	254K
描述
256K x 16 Low Power SRAM

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EM564161BC-70E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

EM564161BC-70E 数据手册

Et r on Tech

EM564161

AC Characteristics and Operating Conditions (Ta = -40 C to 85 C, V

= 2.3V to 3.6V)

Read Cycle

EM564161

-70

-55

-85

Symbol

Parameter

Unit

Min Max Min Max Min Max

Read cycle time

−

Address access time

−

Chip Enable (CE1#) Access Time

Chip Enable (CE2) Access Time

Output enable access time

−

CO1

−

CO2

−

Data Byte Control Access Time

Chip Enable Low to Output in Low-Z

Output enable Low to Output in Low-Z

Data Byte Control Low to Output in Low-Z

Chip Enable High to Output in High-Z

Output Enable High to Output in High-Z

Data Byte Control High to Output in High-Z

Output Data Hold Time

−

OLZ

−

BLZ

−

OHZ

−

BHZ

Write Cycle

EM564161

-70

Unit

Symbol

Parameter

-55

-85

Min Max Min Max Min Max

Write cycle time

−

Write pulse width

Chip Enable to end of write

Data Byte Control to end of Write

Address setup time

−

Write Recovery time

WE# Low to Output in High-Z

WE# High to Output in Low-Z

Data Setup Time

−

WHZ

−

Data Hold Time

−

AC Test Condition

Output load : 50pF + one TTL gate

Input pulse level : 0.4V, 2.4V

Timing measurements : 0.5 x VDD

tR, tF : 5ns

•

Apr. 2004

Rev 3.1

1...3 4 567 8 9...14

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