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EM564161BC-70E

更新时间： 2024-02-14 19:03:28

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钰创 - ETRON		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	254K
描述
256K x 16 Low Power SRAM

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EM564161BC-70E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

EM564161BC-70E 数据手册

Et r on Tech

EM564161

DC Characteristics (Ta = -40 C to 85 C, V

= 2.3V to 3.6V)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ* Max Unit

Input low current

= 0V to V

- 1

0.4

−

µA

Output low

voltage

= 2.1 mA

= -1.0 mA

Output high

voltage

−

0.15

−

= 3.6 V

= 2.7 V

Cycle time

= min

CE1# = V and

−

= 2.3 V

= 3.6 V

= 2.7 V

= 2.3 V

DD1

CE2 = V and

Operating current

= 0mA

OUT

70/85

Other Input = V / V

IH IL

−

Cycle time = 1µs

DD2

CE1# = V or CE2 = V

0.5 mA

−

DDS1

= 3.6 V

−

CE1# = V

– 0.2V or

CE2 = 0.2V

DDS2

0.8

0.5

Standby current

55/70/85

µA

= 2.7 V

= 2.3 V

(Note)

55E/70E/85

= 3.6 V

−

Notes:

* Typical value are measured at T_a= 25°C.

** In standby mode with CE1# ≥ V

CE2 ≥ V_DD- 0.2V or CE2 ≤ 0.2V.

- 0.2V, these limits are assured for the condition

Capacitance (Ta = 25 C; f = 1 MHz)

Parameter

Symbol

Min

−

Typ

−

Max

Unit

Test Conditions

Input capacitance

Output capacitance

= GND

−

OUT

Notes:

This parameter is periodically sampled and is not 100% tested.

Apr. 2004

Rev 3.1

1 2 3 456 7 8...14

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