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EM566169BC-85

更新时间： 2024-11-18 03:14:11

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钰创 - ETRON		静态存储器
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15页	130K
描述
1M x 16 Pseudo SRAM

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EM566169BC-85 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
内存密度：	16777216 bit	内存宽度：	16
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.035 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM

EM566169BC-85 数据手册

Et r on Tech

EM566169BC

1M x 16 Pseudo SRAM

Rev 0.6 Apr. 2004

Features

Pad Assignment

Organized as 1M words by 16 bits

Fast Cycle Time : 60/65/70/85ns

Fast Page Cycle Time : 18/20/25/30ns

Page Read Operation by 8 words

•

LB#

DQ8

DQ9

VSS

OE#

UB#

CE1#

DQ1

DQ3

DQ4

DQ5

WE#

A11

CE2

DQ0

DQ2

VCC

VSS

DQ6

DQ7

Standby Current(I

): 100uA

SB1

Deep power-down Current : 10uA (Memory cell data

invalid)

Byte data control: LB# (DQ0 - 7), UB# (DQ8 - 15)

Compatible with low power SRAM

•

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

A19

Single Power Supply Voltage : 3.0V 0.3V

Package Type : 48-ball FBGA, 6x8mm

A17

A14

A12

VCC

DQ14

DQ15

A18

A16

A15

A13

A10

Ordering Information

Part Number

Speed(ns)

EM566169BC-60/65/70/85

60/65/70/85

Pin Description

Symbol

A0 – A19

DQ0 – DQ15

CE1#

Function

Address Inputs

Data Inputs/Outputs

Chip Enable

CE2

Standby Mode

Output Enable

Write Control

OE#

WE#

LB#

Lower Byte Control

Upper Byte Control

Power Supply

Ground

UB#

V_CC/V_CCQ

V_SS/V_SSQ

Overview

The EM566169 is a 16M-bit Pseudo SRAM organized as 1M words by 16 bits. It is designed with advanced

CMOS technology specified RAM featuring low power static RAM compatible function and pin configuration.

This device operates from a single power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and

low power. It is automatically placed in low-power mode when CE1# or both UB# and LB# are asserted high or

CE2 is asserted low. There are three control inputs. CE1# and CE2 are used to select the device, and output

enable (OE#) provides fast memory access. Data byte control pins (LB#,UB#) provide lower and upper byte

access. This device is well suited to various microprocessor system applications where high speed, low power

and battery backup are required. And, with a guaranteed wide operating range, the EM566169 can be used in

environments exhibiting extreme temperature conditions.

Etron Technology, Inc.

No. 6, Technology Rd. V, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 30077, R.O.C.

TEL: (886)-3-5782345

FAX: (886)-3-5778671

Etron Technology, Inc., reserves the right to make changes to its products and specifications without notice.

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