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ELM34416AA-N

更新时间： 2024-01-30 02:04:48

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描述
Single N-channel MOSFET

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ELM34416AA-N 数据手册

Single N-channel MOSFET

ELM34416AA-N

■General description

■Features

ELM34416AA-N uses advanced trench technology to

provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate

resistance.

• Vds=30V

• Id=11A

• Rds(on) < 12.0mΩ (Vgs=10V)

• Rds(on) < 17.5mΩ (Vgs=4.5V)

■Maximum absolute ratings

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

Vds

Limit

Unit

Note

Gate-source voltage

Vgs

Ta=25°C

Continuous drain current

Ta=100°C

Pulsed drain current

Avalanche current

Idm

Las

Eas

Avalanche energy

L=0.1mH

Ta=25°C

Ta=100°C

2.5

Power dissipation

1.0

Operating junction and storage temperature range

Tj, Tstg

-55 to 150

°C

■Thermal characteristics

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

Unit

°C/W

Note

Maximum junction-to-case

Steady-state

Rθjc

Rθja

Maximum junction-to-ambient

■Pin configuration

■Circuit

SOP-8(TOP VIEW)

Pin No.

Pin name

SOURCE

GATE

DRAIN

4 - 1

12 3 4

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