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ELM34603AA-N

更新时间: 2024-02-14 12:07:10
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7页 993K
描述
Complementary MOSFET

ELM34603AA-N 数据手册

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Complementary MOSFET  
ELM34603AA-N  
■General Description  
■Features  
ELM34603AA-N uses advanced trench  
technology to provide excellent Rds(on)  
and low gate charge.  
N-channel  
• Vds=30V  
• Id=7A  
P-channel  
Vds=-30V  
Id=-6A  
• Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 34mΩ(Vgs=-10V)  
• Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 56mΩ(Vgs=-4.5V)  
■Maximum Absolute Ratings  
Parameter  
Symbol  
Vds  
N-ch (Max.)  
30  
P-ch (Max.)  
-30  
Unit Note  
Drain source voltage  
V
V
-
Gate source voltage  
-
Vgs  
±20  
±20  
Ta=25°C  
Ta=70°C  
7
-6  
-5  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Id  
Idm  
A
6
20  
2.0  
-20  
A
W
°C  
3
Ta=25°C  
Ta=70°C  
2.0  
Power dissipation  
Pd  
1.3  
1.3  
Junction and storage temperature range  
Tj,Tstg  
-
55 to 150  
-
55 to 150  
■Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol Device  
Typ.  
Max.  
62.5  
62.5  
Unit  
Note  
Maximum junction to ambient  
- -  
ja  
ja  
N-ch  
P-ch  
°C/W  
°C/W  
Maximum junction to ambient  
- -  
■Pin configuration  
■Circuit  
SOP-8(TOP VIEW)  
• N-ch  
• P-ch  
Pin No.  
Pin name  
D1  
D2  
1
2
3
4
5
6
7
8
SOURCE1  
GATE1  
1
2
3
4
8
7
6
5
SOURCE2  
GATE2  
DRAIN2  
DRAIN2  
DRAIN1  
DRAIN1  
G1  
G2  
S1  
S2  
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