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ELM34806AA-N

更新时间： 2024-02-18 10:00:35

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描述
Dual N-channel MOSFET

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ELM34806AA-N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ELM34806AA-N 数据手册

Dual N-channel MOSFET

ELM34806AA-N

■General description

■Features

ELM34806AA-N uses advanced trench technology to

provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate

resistance.

• Vds=40V

• Id=7A

• Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)

• Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)

■Maximum absolute ratings

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Note

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Vds

Vgs

Ta=25°C

Ta=70°C

Continuous drain current

Pulsed drain current

Idm

Ta=25°C

Ta=70°C

2.0

Power dissipation

°C

1.3

Junction and storage temperature range

Tj, Tstg

-55 to 150

■Thermal characteristics

Parameter

Symbol

Rθja

Typ.

Max.

62.5

Unit

°C/W

Note

Maximum junction-to-ambient

Steady-state

■Pin configuration

■Circuit

SOP-8(TOP VIEW)

Pin No.

Pin name

SOURCE1

GATE1

SOURCE2

GATE2

DRAIN2

DRAIN1

4 - 1

12 3 4

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