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ELM34803AA-N

更新时间： 2024-11-22 11:46:03

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描述
Dual P-channel MOSFET

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ELM34803AA-N 数据手册

Dual P-channel MOSFET

ELM34803AA-N

■General description

■Features

ELM34803AA-N uses advanced trench technology to

provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate

resistance.

• Vds=-30V

• Id=-8A

• Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-10V)

• Rds(on) < 34mΩ (Vgs=-4.5V)

■Maximum absolute ratings

Parameter

Symbol

Limit

-30

Unit

Note

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Vds

Vgs

±25

Ta=25°C

Ta=70°C

-8

Continuous drain current

-6

Pulsed drain current

Avalanche current

Avalanche energy

Idm

Ias

-40

-30

L=0.1mH

Ta=25°C

Ta=70°C

Eas

2.00

1.28

-55 to 150

Power dissipation

Junction and storage temperature range

Tj, Tstg

°C

■Thermal characteristics

Parameter

Symbol

Rθja

Typ.

Max.

62.5

Unit

°C/W

Note

Maximum junction-to-ambient

■Pin configuration

■Circuit

SOP-8(TOP VIEW)

Pin No.

Pin name

SOURCE1

GATE1

SOURCE2

GATE2

DRAIN2

DRAIN1

4 - 1

12 3 4

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