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EIC256S08C01-035D

更新时间: 2024-01-04 23:37:01
品牌 Logo 应用领域
ELMOS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 267K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC32

EIC256S08C01-035D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-XQCC-N32JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

EIC256S08C01-035D 数据手册

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