EE-SX198

更新时间： 2024-09-13 06:56:07

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欧姆龙 - OMRON		光电开关插槽式开关输出元件
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4页	637K
描述
Photomicrosensor (Transmissive)

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EE-SX198 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	6 weeks 4 days
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	200 nA	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	标称通态集电极电流：	0.5 mA
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH	标称槽宽：	3 mm
Base Number Matches：	1

EE-SX198 数据手册

Photomicrosensor (Transmissive)

EE-SX198

■ Dimensions

■ Features

• General-purpose model with a 3-mm-wide slot.

Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated.

• PCB mounting type.

12.2 0.3

• High resolution with a 0.5-mm-wide aperture.

• RoHS Compliant.

0.1

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25° C)

Four, C0.3

0.5 0.1

Two, C1 0.3

Item

Symbol

Rated value

Optical

axis

Emitter

Forward current

I_F

50 mA (see note 1)

10 0.2

8.5 0.1

6.5+0.1

Pulse forward

current

I_FP

1 A (see note 2)

Reverse voltage

V_R

4 V

6.2 0.5

Detector

Collector–Emitter

voltage

V_CEO

30 V

Four, 0.5 0.1

2.5 0.1

Cross section AA

Four, 0.25 0.1

Cross section BB

Emitter–Collector

voltage

V_ECO

---

9.2 0.3

Collector current

I_C

20 mA

Collector

dissipation

P_C

100 mW (see note 1)

Internal Circuit

Ambient

Operating

Storage

Topr

Tstg

Tsol

–25° C to 85°C

–30° C to 100°C

260° C (see note 3)

temperature

Soldering temperature

Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-

ature exceeds 25°C.

Terminal No.

Name

2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz.

3. Complete soldering within 10 seconds.

Anode

Cathode

Collector

Emitter

Unless otherwise specified,

the tolerances are 0.2 mm.

■ Ordering Information

Description

Model

EE-SX198

Photomicrosensor (transmissive)

■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Condition

Emitter

Forward voltage

V_F

I_R

1.2 V typ., 1.4 V max.

I_F= 30 mA

Reverse current

Peak emission wavelength

Light current

0.01 µA typ., 10 µA max.

940 nm typ.

V_R= 4 V

λ_P

I_L

I_F= 20 mA

Detector

0.5 mA min., 14 mA max.

2 nA typ., 200 nA max.

---

I_F= 20 mA, V_CE= 5 V

V_CE= 20 V, 0 lx

---

Dark current

I_D

Leakage current

I_LEAK

Collector–Emitter saturated

voltage

V_CE(sat)

0.1 V typ., 0.4 V max.

I_F= 40 mA, I_L= 0.5 mA

Peak spectral sensitivity

wavelength

λ_P

850 nm typ.

V_CE= 10 V

Rising time

Falling time

4 µs typ.

V_CC= 5 V, R_L= 100 Ω, I_L= 5 mA

Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX198

12 3 4

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