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EE-SX298

更新时间： 2024-09-17 06:56:07

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欧姆龙 - OMRON		光电
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4页	215K
描述
Photomicrosensor (Transmissive)

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EE-SX298 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	35 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	1000 nA	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	标称通态集电极电流：	0.5 mA
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	DARLINGTON OUTPUT SLOTTED SWITCH	标称槽宽：	3 mm
Base Number Matches：	1

EE-SX298 数据手册

Photomicrosensor (Transmissive)

EE-SX298

I Dimensions

Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated.

I Features

• General-purpose model with a 3-mm-wide slot.

• PCB mounting type.

12.2 0.3

• High resolution with a 0.5-mm-wide aperture.

• With a Photo-Darlington transistor as a detector element.

I Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

0.1

Four, C0.3

Two, C1 0.3

Item

Symbol

Rated value

50 mA (see note 1)

1 A (see note 2)

0.5 0.1

10 0.2

Emitter

Forward current I_F

Optical axis

6.5 0.1

Pulse forward

current

I_FP

8.5 0.1

Reverse voltage V_R

4 V

Detector

Collector–Emitter V_CEO

35 V

6.2 0.5

voltage

Four,

Four, 0.25+0.1

0.5 0.1

Emitter–Collector V_ECO

voltage

---

2.5 0.1

9.2 0.3

Cross section BB

Cross section AA

Collector current I_C

20 mA

Collector

dissipation

P_C

100 mW (see note 1)

Ambient

Operating

Storage

Topr

Tstg

Tsol

–25°C to 85°C

–30°C to 100°C

260°C (see note 3)

Internal Circuit

temperature

Soldering temperature

Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temper-

ature exceeds 25°C.

2. The pulse width is 10 µs maximum with a frequency of 100 Hz.

3. Complete soldering within 10 seconds.

Terminal No.

Name

Anode

Cathode

Collector

Emitter

I Ordering Information

Unless otherwise specified,

the tolerances are 0.2 mm.

Description

Model

EE-SX298

Photomicrosensor (transmissive)

I Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

1.2 V typ., 1.4 V max.

0.01 µA typ., 10 µA max.

940 nm typ.

Condition

Emitter

Forward voltage

Reverse current

Peak emission wavelength

Light current

V_F

I_R

I_F= 20 mA

V_R= 4 V

λ_P

I_L

I_F= 20 mA

Detector

0.5 mA min., 20 mA max.

2 nA typ., 1,000 nA max.

---

I_F= 1 mA, V_CE= 2 V

V_CE= 10 V, 0 lx

---

Dark current

I_D

Leakage current

I_LEAK

Collector–Emitter saturated

voltage

V_CE(sat)

0.75 V typ., 1.0 V max.

I_F= 2 mA, I_L= 0.5 mA

Peak spectral sensitivity

wavelength

λ_P

780 nm typ.

V_CE= 5 V

Rising time

Falling time

70 µs typ.

V_CC= 5 V, R_L= 100 Ω,

I_L= 10 mA

70 µs typ.

V_CC= 5 V, R_L= 100 Ω,

I_L= 10 mA

194

Photomicrosensor (Transmissive) EE-SX298

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