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EDJ5316BASE-AC-E

更新时间： 2024-11-28 12:20:55

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
130页	1562K
描述
512M bits DDR3 SDRAM

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EDJ5316BASE-AC-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA96,9X16,32
针数：	96	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.265 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
JESD-609代码：	e1	长度：	14 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	96
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA96,9X16,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.011 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.385 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9.8 mm	Base Number Matches：	1

EDJ5316BASE-AC-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR3 SDRAM

EDJ5304BASE (128M words × 4 bits)

EDJ5308BASE (64M words × 8 bits)

EDJ5316BASE (32M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 512M bits

• Organization

⎯ 16M words × 4 bits × 8 banks (EDJ5304BASE)

⎯ 8M words × 8 bits × 8 banks (EDJ5308BASE)

⎯ 4M words × 16 bits × 8 banks (EDJ5316BASE)

• Package

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

⎯ 78-ball FBGA (EDJ5304/5308BASE)

⎯ 96-ball FBGA (EDJ5316BASE)

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD, VDDQ = 1.5V 0.075V

• Data rate

⎯ 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• 1KB page size (EDJ5304/5308BASE)

⎯ Row address: A0 to A12

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

⎯ Column address: A0 to A9, A11 (EDJ5304BASE)

A0 to A9 (EDJ5308BASE)

• On-Die Termination (ODT) for better signal quality

⎯ Synchronous ODT

⎯ Dynamic ODT

⎯ Asynchronous ODT

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• 2KB page size (EDJ5316BASE)

⎯ Row address: A0 to A11

⎯ Column address: A0 to A9

• Eight internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_15

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (8, 4 with BC)

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

function

⎯ Interleave (8, 4 with BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10

• /CAS Write Latency (CWL): 5, 6, 7, 8

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• SRT range:

⎯ Normal/extended

⎯ Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

• Driver strength: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

⎯ Average refresh period

7.8μs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9μs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

⎯ TC = 0°C to +95°C

^{Document No. E0966E60 (Ver. 6.0)}This product became EOL in September, 2010.

Date Published July 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDJ5316BASE-AE-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM
EDJ5316BASE-AG-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM
EDJ5316BASE-DG-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM
EDJ5316BASE-DJ-E	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM
EDJ5316BBBG-AE-F	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, ROHS COMPLIANT, FBGA-96
EDJ5316BBBG-DG-F	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, ROHS COMPLIANT, FBGA-96
EDJ5316BBBG-DJ-F	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, ROHS COMPLIANT, FBGA-96
EDJ5316DBBG	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM
EDJ5316DBBG-AE-F	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM
EDJ5316DBBG-DG-F	ELPIDA	获取价格	512M bits DDR3 SDRAM

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