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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOJ, SOJ44,.44 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 最长访问时间： | 17 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACKUP | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J44 | 长度： | 28.55 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ44,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.275 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI816256CA20M44B | WEDC |
获取价格 |
SRAM, |
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| EDI816256CA20M44C | WEDC |
获取价格 |
SRAM, |
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| EDI816256CA20M44I | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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| EDI816256CA20M44M | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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| EDI816256CA25M44I | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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| EDI816256CA25M44M | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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| EDI816256CA-25M44MGA | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44 |
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| EDI816256CAXF44B | WEDC |
获取价格 |
256Kx16 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96795 |
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| EDI816256CAXF44C | WEDC |
获取价格 |
256Kx16 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96795 |
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| EDI816256CAXF44I | WEDC |
获取价格 |
256Kx16 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96795 |
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