是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOJ, SOJ44,.44 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.63 | 最长访问时间: | 17 ns |
其他特性: | BATTERY BACKUP | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 | 长度: | 28.55 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ44,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.76 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.275 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI816256CA20M44B | WEDC |
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SRAM, | |
EDI816256CA20M44C | WEDC |
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SRAM, | |
EDI816256CA20M44I | ETC |
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x16 SRAM | |
EDI816256CA20M44M | ETC |
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x16 SRAM | |
EDI816256CA25M44I | ETC |
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x16 SRAM | |
EDI816256CA25M44M | ETC |
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x16 SRAM | |
EDI816256CA-25M44MGA | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44 | |
EDI816256CAXF44B | WEDC |
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256Kx16 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96795 | |
EDI816256CAXF44C | WEDC |
获取价格 |
256Kx16 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96795 | |
EDI816256CAXF44I | WEDC |
获取价格 |
256Kx16 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96795 |