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EDF1DS-E3/77

更新时间： 2024-09-19 12:53:23
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威世 - VISHAY /
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4页 85K
描述
Miniature Glass Passivated Ultrafast

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EDF1DS-E3/77 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：0.93
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：200 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.05 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：250
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

EDF1DS-E3/77 数据手册

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EDF1AS, EDF1BS, EDF1CS, EDF1DS  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Miniature Glass Passivated Ultrafast  
Surface Mount Bridge Rectifiers  
FEATURES  
• UL recognition, file number E54214  
• Ideal for automated placement  
• Ultrafast reverse recovery time for high  
frequency  
~
• High surge current capability  
~
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
~
~
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification  
for SMPS, lighting ballaster, adapter, battery charger, home  
appliances, office equipment, and telecommunication  
applications.  
Case Style DFS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Package  
DFS  
1 A  
MECHANICAL DATA  
IF(AV)  
Case: DFS  
VRRM  
50 V, 100 V, 150 V, 200 V  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
IFSM  
IR  
50 A  
5 μA  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 1.0 A  
trr  
1.05 V  
50 ns  
150 °C  
Quad  
TJ max.  
Polarity: As marked on body  
Diode variations  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
EDF1AS  
EDF1BS EDF1CS EDF1DS  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
106  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward output rectified current at TA = 40 °C (1)  
100  
IF(AV)  
1.0  
50  
10  
Peak forward surge current single half sine-wave superimposed on  
rated load  
IFSM  
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
I2t  
A2s  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 ms pulse width, 1 % duty cycle  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
EDF1AS  
EDF1BS EDF1CS EDF1DS  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
1.0 A (1)  
VF  
1.05  
V
TA = 25 °C  
5.0  
1.0  
μA  
Maximum DC reverse current at rated  
DC blocking voltage per diode  
IR  
trr  
TA = 125 °C  
mA  
Maximum reverse recovery time per  
diode  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
50  
ns  
Irr = 0.25 A  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 ms pulse width, 1 % duty cycle  
Revision: 19-Aug-13  
Document Number: 88578  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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