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ED1702M

更新时间: 2024-09-14 22:30:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
NPN general purpose transistor

ED1702M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.91最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):170JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzBase Number Matches:1

ED1702M 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
ED1702  
NPN general purpose transistor  
1999 Apr 27  
Product specification  
Supersedes data of 1997 May 27  

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