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EBE51FD8AHFD-6E-E

更新时间： 2024-11-09 19:57:55

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	190K
描述
DRAM Module, 64MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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EBE51FD8AHFD-6E-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	240
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N240	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	240	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	64MX72	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY DATA SHEET

512MB Fully Buffered DIMM

EBE51FD8AHFD

Specifications

Features

• Density: 512MB

• Organization

• JEDEC standard Raw Card A Design

• Industry Standard Advanced Memory Buffer (AMB)

64M words × 72 bits, 1 rank

• High-speed differential point-to-point link interface at

1.5V (JEDEC draft spec)

• Mounting 9 pieces of 512M bits DDR2 SDRAM

sealed in FBGA

14 north-bound (NB) high speed serial lanes

10 south-bound (SB) high speed serial lanes

• Various features/modes:

• Package

240-pin fully buffered, socket type dual in line

memory module (FB-DIMM)

MemBIST and IBIST test functions

PCB height: 30.35mm

Transparent mode and direct access mode for

DRAM testing

Lead pitch: 1.00mm

Advanced Memory Buffer (AMB): 655-ball FCBGA

Lead-free (RoHS compliant)

Interface for a thermal sensor and status indicator

• Channel error detection and reporting

• Power supply

• Automatic DDR2 SDRAM bus and channel

calibration

DDR2 SDRAM: VDD = 1.8V ± 0.1V

AMB: VCC = 1.5V + 0.075V/−0.045

• Data rate: 667Mbps/533Mbps (max.)

• SPD (serial presence detect) with 1piece of 256 byte

serial EEPROM

• Four internal banks for concurrent operation

(components)

Note: Warranty void if removed DIMM heat

spreader.

• Interface: SSTL_18

• Burst lengths (BL): 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Performance

FB-DIMM

DDR2 SDRAM

System clock

frequency

Peak channel

throughput

Speed grade

PC2-5300F

PC2-4200F

FB-DIMM link data rate

4.0Gbps

Speed Grade

DDR data rate

667Mbps

167MHz

133MHz

8.0GByte/s

6.4GByte/s

DDR2-667 (5-5-5)

DDR2-533 (4-4-4)

3.2Gbps

533Mbps

Document No. E1009E30 (Ver. 3.0)

Date Published February 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2006-2007

12 3 4 5 6 7...22

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